1.                 Ứng dụng của quang khắcĐể có thêm thông tin về các dịch vụ nâng ngực, nâng mũi, vá màng trinh, thẩm mỹ vùng kín, thẩm mỹ môi, thẩm mỹ mắt, thẩm mỹ khuôn mặt, thu hẹp âm đạo…  và được tư vấn cụ thể về các dịch vụ xin quý khách hàng liên hệ tại đây.hiệp bán dẫn để chế tạo các vi mạch điện tử. Ngoài ra, quang khắc được sử dụng trong ngành khoa học và công nghệ vật liệu để chế tạo các chi tiết vật liệu nhỏ, chế tạo các linh kiện vi cơ điện tử (MEMS). Hạn chế của quang khắc là do ánh sáng bị nhiễu xạ nên không thể hội tụ chùm sáng xuống kích cỡ quá nhỏ, vì thế nên không thể chế tạo các chi tiết có kích thước nano (độ phân giải của thiết bị quang khắc tốt nhất là 50 nm), do đó khi chế tạo các chi tiết nhỏ cấp nanomet, người ta phải thay bằng công nghệ quang khắc chùm điện tử.

Qui trình tạo quang khắc

                 Chuẩn bị bề mặt

                       Tách tạp chất trên bề mặt tấm che sáng

Phương pháp:

-      Thổi khí nitơ có áp suất cao.

-      Vệ sinh bằng hóa chất.

-      Dòng nước có áp suất cao.

-      Dùng cọ rửa.

                       Sấy tách ẩm

Trên bề mặt các tấm che sáng thường có ẩm do đó cần phải loại bỏ bằng cách gia nhiệt ở khoảng 150~200^oC.

                       Phủ lớp primer

Mục đích: làm tăng khả năng kết dính giữa tấm che sáng và photoresist.

Primer thường sử dụng là HMDS (hexamethyldislazane).

                 Phủ photoresist - Coating

Ở giai đoạn này nền được quay trên spinner trong môi trường chân không. Các thông số kiểm soát trong giai đoạn này:

-      Tốc độ 3000-6000 vòng/phút.

-      Thời gian quay: 15-30 giây.

-      Độ dày lớp phủ: 0.5-15mm.

Công thức thực nghiệm để tính độ dày lớp phủ photoresist:

        (2.1)

với k: hằng số của thiết bị quay spinner (80-100).

p: hàm lượng chất rắn trong resist (%).

w: tốc độ quay của spinner (vòng/1000).

Hình 2.5: Phủ lớp photoresist ^[10]

Các sự cố thường gặp trong quá trình phủ lớp photoresist:

Sự cố	Nguyên nhân	Hướng khắc phục
Độ dày không đều.	Bề mặt khô không đều các đường biên dày hơn (có thể dày hơn 20-30 lần).	Có thể đặt 1 vòng tròn ở đường biên. Dùng dung môi phun lên lớp biên để hoàn tan.
Xuất hiện các đường sọc.	Do trong resist có các hạt rắn có đường kính lớn hơn độ dày lớp phủ.

Bảng 2.1: Những sự cố thường gặp trong quá trình phủ lớp photoresist ^[10]

  

              a) Dày ở đường biên                               b) Đường sọc trên bề mặt

Hình 2.6: Những sự cố thường gặp trong quá trình phủ lớp photoresist ^[10]

                 Sấy sơ bộ

Mục đích: làm bay hơi dung môi có trong photoresist. Trong quá trình sấy độ dày lớp phủ sẽ giảm khoảng 25%.

Phương pháp thực hiện:

4.3.1      Dùng lò đối lưu nhiệt

Điều kiện:

-      Nhiệt độ: 90-100^oC.

-      Thời gian: 20 phút.

4.3.2      Dùng tấm gia nhiệt

-      Nhiệt độ: 75-85^oC.

-      Thời gian: 45 giây.

4.3.3      Dùng sóng viba và đèn hồng ngoại.

                 Chiếu ánh sáng

Trong giai đoạn này, hệ sẽ được chiếu ánh sáng để chuyển hình ảnh lên nền, mặt nạ được đặt giữa hệ thấu kính và nền.

Có 3 phương pháp chiếu dựa vào vị trí đặt mặt nạ:

-      Mặt nạ tiếp xúc.

-      Mặt nạ đặt cách photoresist khoảng cách nhỏ.

-      Mặt nạ đặt cách xa photoresist, ánh sáng được chiếu qua hệ thấu kính.

So sánh 3 phương pháp:

Phương pháp	Ưu điểm	Khuyết điểm
Mặt nạ tiếp xúc	Giá cả hợp lí Độ phân giải cao: 0.5 mm.	Làm hư mặt nạ do lớp oxit trên mặt nạ bị xướt. Các vết bẩn trên mặt nạ sẽ in lên phototresit.
Mặt nạ đặt cách photoresist khoảng cách nhỏ	Giá cả hợp lí Độ phân giải thấp: 1-2 mm.	Do ảnh hưởng của nhiễu xạ nên hạn chế độ chính xác của hình ảnh. Độ lặp lại của hình ảnh kém.
Mặt nạ đặt cách xa photoresist	Độ phân giải rất cao: < 0.07 mm) Không gây hư hỏng mặt nạ.	Giá thành cao. Bị ảnh hưởng của nhiễu xạ.

Bảng 2.2: So sánh 3 phương pháp chiếu ánh sángĐể có thêm thông tin về các dịch vụ nâng ngực, nâng mũi, vá màng trinh, thẩm mỹ vùng kín, thẩm mỹ môi, thẩm mỹ mắt, thẩm mỹ khuôn mặt, thu hẹp âm đạo…  và được tư vấn cụ thể về các dịch vụ xin quý khách hàng liên hệ tại đây.